NANO 101 - Foton Temelli Nanolitografik Teknikler - 4

X Işınlı Yakınlaşma Litografyası
Yakınlaşma ile yapılan litografyalardaki çözünürlük limitini aşabilmek için, yüksek enerjili X ışınları kullanılır.

Çok basit yöntem olmasına rağmen, teknolojik uygulamalarda pek kullanılmamıştır. Problem ise maskedir.

Maskeler zar şeklinde yapılmaktadır. Altta hafif silikon atomları, üstte yüksek derecede X ışını emebilen altın ya da tantalum nitrat vardır. Maskelerin desenlemesi elektron demeti veya kuru aşındırma ile yapılmaktadır.

Bu yöntem daha çok laboratuvarlarda kullanılmaktır.

Yöntemin İngilizcesi: X-Ray Proximity Lithography